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半导体检测
中析研究所在半导体检测领域已有多年经验,拥有CMA资质和规范的工程师团队。中析研究所始终以科学研究为主,以客户为中心,在严格的程序下开展检测分析工作,为客户提供检测、分析

暂不接受个人委托测试

检测周期:常规7-10个工作日,可提供加急服务。

检测报告:提供非标/标准方案定制服务,报告数据精准有效。

增值服务:可提供全国范围内上门取样/见证实验/制样服务。

免费咨询热线 :400-062-0567,或点击在线咨询,工程师24小时为您提供优质服务!

中析研究所在半导体检测领域已有多年经验,拥有CMA资质和规范的工程师团队。中析研究所始终以科学研究为主,以客户为中心,在严格的程序下开展检测分析工作,为客户提供检测、分析、还原等一站式服务,检测报告可通过一键扫描查询真伪。

检测费用:免费初检,根据客户检测需求以及实验复杂程度进行报价。

检测周期:7-15个工作日出具检测报告。

联系电话:400-062-0567或点击在线咨询,将有我们的研发工程师与您1对1沟通。

检测项目(部分)

检测项目 意义和意思
载流子浓度 描述半导体中自由电子和空穴的数量。
迁移率 载流子在电场作用下的平均速度与电场强度的比值。
电阻率 材料对电流流动的阻碍程度。
霍尔效应 磁场作用下,导体中出现的现象,用于测量载流子浓度和类型。
击穿电压 材料发生电击穿前能承受的最大电压。
电容 材料存储电荷的能力。
介电常数 材料在电场中存储能量的能力。
导热系数 材料传导热量的能力。
热扩散率 材料中温度变化传播的速率。
晶格常数 晶体结构中原子间的平均距离。
缺陷密度 材料中晶格缺陷的数量。
表面态密度 半导体表面可利用的电子态的数量。
寿命 载流子的平均生存时间。
扩散长度 载流子在半导体中平均移动的距离。
量子效率 半导体发光器件中光子产生的概率。
折射率 光在材料中的传播速度与真空中速度的比值。
光吸收系数 材料对光的吸收能力。
载流子复合率 电子与空穴结合的速率。
载流子注入效率 载流子注入半导体的效率。
表面粗糙度 半导体表面不平整的程度。
晶圆平整度 晶圆表面整体的平整程度。

检测范围(部分)

半导体类型 简单说明
硅半导体 最常用的半导体材料,广泛应用于集成电路和太阳能电池。
锗半导体 具有较高载流子迁移率的半导体材料,适用于高速电子器件。
砷化镓半导体 具有高电子迁移率的化合物半导体,常用于高频和光电子器件。
氮化镓半导体 宽带隙半导体,适用于高功率和高温电子器件。
碳化硅半导体 具有高热导率和高击穿电场的宽带隙半导体。
绝缘体上硅(SOI) 硅层与绝缘层的结合,用于减少寄生电容和提高性能。
金属氧化物半导体(MOS) 利用金属和氧化物与半导体界面特性的器件。
双极型晶体管(BJT) 利用N型和P型半导体的结合,具有放大电流的能力。
场效应晶体管(FET) 通过电场控制沟道的导电性,用于放大或开关信号。
太阳能电池 将太阳能转换为电能的半导体器件。
光电二极管 将光信号转换为电信号的半导体器件。
发光二极管(LED) 通过电流激发发光的半导体器件。
激光二极管(LD) 产生激光的半导体器件,用于光通信和精密仪器。
集成电路(IC) 将多个电子器件集成在一个小芯片上的复杂电路。
微机电系统(MEMS) 集微型机构、微型传感器等于一体的微型机械系统。
功率半导体器件 用于高功率电路中的半导体器件,如功率晶体管。
高频半导体器件 适用于高频信号处理的半导体器件。
微波半导体器件 在微波频率下工作的半导体器件,如微波晶体管。
光通信半导体器件 用于光通信系统中的半导体器件,如光放大器。
传感器用半导体 用于制造各种传感器的半导体材料,如压力传感器。
存储器用半导体 用于制造存储设备的半导体材料,如动态随机存取存储器。
逻辑用半导体 用于逻辑电路的半导体材料,实现基本逻辑功能。

检测仪器(部分)

检测仪器 简单说明
半导体参数分析仪 用于测量半导体材料的电学特性,如电流-电压特性。
探针站 用于与半导体晶圆或芯片的接触点进行电学测试的设备。
电子束蒸发系统 利用电子束加热材料,使其蒸发并在半导体上形成薄膜。
原子层沉积系统 逐层精确控制沉积材料,用于形成超薄半导体膜层。
化学气相沉积系统 通过化学反应在半导体表面沉积材料的工艺系统。
分子束外延系统 用于生长单晶薄膜的设备,具有高纯度和高结晶性。
X射线衍射仪 用于分析材料的晶体结构和晶格参数的仪器。
扫描电子显微镜(SEM) 利用电子束扫描样品表面,获取高分辨率表面形貌图像。
透射电子显微镜(TEM) 通过透射电子来观察样品的微观结构,具有原子级分辨率。
原子力显微镜(AFM) 通过探针与样品表面接触,探测表面形貌和物理性质。

检测标准(部分)

GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路

GB/T 8750-2022 半导体封装用金基键合丝、带

DB22/T 2725-2017 980 nm光纤光栅半导体激光器

GB/T 4937.31-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的)

GB/T 14264-2009 半导体材料术语行

DB13/T 5120-2019 光通信用FP、DFB半导体激光器芯片直流性能测试规范

DB13/T 5293-2020 半导体特性图示仪维修规范

DB31/ 374-2006 半导体行业污染物排放标准

DB32/ 3747-2020 半导体行业污染物排放标准

DB35/T 1193-2011 半导体发光二极管芯片

DB44/T 1639.1-2015 半导体照明标准光组件总则 第1部分 层级划分

DB61/T 1250-2019 Sic(碳化硅)材料半导体分立器件通用规范

DB61/T 1448-2021 大功率半导体分立器件间歇寿命试验规程

GB/T 10193-1997 电子设备用压敏电阻器 第1部分:总规范

GB/T 10236-2006 半导体变流器与供电系统的兼容及干扰防护导则

GB/T 11498-2018 半导体器件 集成电路 第21部分:膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)半导体器件 集成电路 第21部分:膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)

GB/T 11499-2001 半导体分立器件文字符号

GB/T 11685-2003 半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法

GB/T 12560-1999 半导体器件 分立器件分规范

GB/T 12565-1990 半导体器件 光电子器件分规范(可供认证用)

GB/T 12667-2012 同步电动机半导体励磁装置总技术条件

GB/T 12669-2012 半导体变流串级调速装置总技术条件

GB/T 12750-2006 半导体器件 集成电路 第11部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路)

GB/T 13062-2018 半导体器件 集成电路 第21-1部分:膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范(采用鉴定批准程序)

GB/T 13150-2005 半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三级晶闸管空白详细规范

优质服务

实力保障:集体所有制科研所,科研项目全。

免费初检:免费进行初检,让您检测无忧。

周期更短:7-10个工作日可出具检测报告。

优质服务:工程师1对1服务,全程项目跟进。

技术先进:博士团队,欧美进口设备300余台。

严谨公正:公检法部门合作单位,科学准确。

多家分部:接受全国上门取样/寄样服务。

一键查询:支持扫描查询真伪,报告认可度高。

报告用途

销售:出具检测报告,提升产品竞争力。

研发:缩短研发周期,降低研发成本。

质量:判定原料质量,减少生产风险。

诊断:找出问题根源,改善产品质量。

科研:定制完整方案,提供原始数据。

竞标:报告认可度高,提高竞标成功率。

检测流程

1、咨询工程师,提交检测需求。

2、送样/邮递样品。

3、免费初检,进行报价。

4、签订合同和保密协议。

5、进行方案定制、实验。

6、出具实验结果和检测报告。

7、更多增值服务。

我们的优势

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